1、半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)，前道工藝設(shè)備用于晶圓制造，含光刻機(jī)等；后道工藝設(shè)備用于封裝測(cè)試，含分選機(jī)等。晶圓制造設(shè)備占比高，薄膜沉積、光刻、刻蝕設(shè)備合計(jì)份額超60%。

  2、2024年全球規(guī)模1170億美元，中國(guó)大陸為主要市場(chǎng)，設(shè)備支出495.5億美元。2024年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備及零件出口額52.1億美元，主要出口至美國(guó)、印度、新加坡等。

  3、貿(mào)易摩擦加速自主可控，美系廠商對(duì)中國(guó)大陸銷售規(guī)模大，國(guó)產(chǎn)設(shè)備有替代空間。晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)，先進(jìn)制程產(chǎn)能利用率高，成熟制程溫和復(fù)蘇，帶動(dòng)設(shè)備需求。

  4、2025年全球規(guī)模將達(dá)1210億美元，中國(guó)大陸份額提升。先進(jìn)制程邁進(jìn)，EUV光刻機(jī)為核心，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)入深水區(qū)，競(jìng)爭(zhēng)維度升級(jí)。碳化硅等新型材料發(fā)展，環(huán)保工藝受重視。

  半導(dǎo)體設(shè)備作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的核心支撐，其技術(shù)水平與產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展程度，不僅決定著芯片制造的效率、精度與良品率，更是衡量國(guó)家科技競(jìng)爭(zhēng)力和保障產(chǎn)業(yè)安全的關(guān)鍵指標(biāo)。近年來(lái)，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)攀升，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展勢(shì)頭。中國(guó)大陸憑借不斷加大的產(chǎn)業(yè)資本投入，迅速崛起為全球半導(dǎo)體設(shè)備最具活力的市場(chǎng)之一。但長(zhǎng)期以來(lái)，美系廠商憑借先發(fā)優(yōu)勢(shì)和技術(shù)壁壘，在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域形成高度壟斷格局，極大限制了國(guó)產(chǎn)設(shè)備的發(fā)展空間。

  面對(duì)外部技術(shù)封鎖壓力與國(guó)內(nèi)龐大的市場(chǎng)需求，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)迎難而上，全力推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新與國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程。從光刻、刻蝕等核心設(shè)備，到薄膜沉積、清洗等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，國(guó)產(chǎn)設(shè)備企業(yè)不斷突破技術(shù)瓶頸，產(chǎn)品性能明顯提升，市場(chǎng)認(rèn)可度慢慢地提高。本報(bào)告將全方面分析半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的驅(qū)動(dòng)因素，深入探討市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀與產(chǎn)業(yè)鏈競(jìng)爭(zhēng)格局，系統(tǒng)梳理核心企業(yè)未來(lái)的發(fā)展動(dòng)態(tài)，為讀者呈現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展全貌，助力把握行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。

  半導(dǎo)體設(shè)備作為集成電路制造的核心支撐，按制造流程可清晰劃分為前道工藝設(shè)備與后道工藝設(shè)備兩大板塊。前道工藝專注于晶圓制造，涵蓋11類、50余種機(jī)型，光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積機(jī)、離子注入機(jī)、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備、清洗機(jī)、前道檢測(cè)設(shè)備及氧化退火設(shè)備等構(gòu)成技術(shù)核心；后道工藝則聚焦封裝測(cè)試環(huán)節(jié)，以分選機(jī)、劃片機(jī)、貼片機(jī)及各類檢測(cè)設(shè)備為主要裝備。

  從市場(chǎng)結(jié)構(gòu)來(lái)看，晶圓制造設(shè)備占據(jù)行業(yè)主導(dǎo)地位。SEMI多個(gè)方面數(shù)據(jù)顯示，2023年其銷售額在半導(dǎo)體設(shè)備整體市場(chǎng)中的占比高達(dá)90%。其中，薄膜沉積設(shè)備、光刻設(shè)備與刻蝕設(shè)備作為芯片制造的三大支柱，合計(jì)市場(chǎng)占有率超過(guò)60%。有必要注意一下的是，薄膜沉積設(shè)備與刻蝕設(shè)備憑借技術(shù)迭代優(yōu)勢(shì)，年平均增長(zhǎng)率明顯高于其他品類。

  半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展呈現(xiàn)雙輪驅(qū)動(dòng)特征。在需求層面，技術(shù)革新與終端應(yīng)用拓展共同驅(qū)動(dòng)長(zhǎng)期規(guī)模增長(zhǎng)，而中短期受終端產(chǎn)品換機(jī)周期等因素影響，呈現(xiàn)出明顯的景氣波動(dòng)?？v觀歷史數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體年度銷售額每10年左右形成一個(gè)“M”型波動(dòng)周期，每個(gè)階段的增長(zhǎng)均由新興應(yīng)用需求主導(dǎo)；中短期內(nèi)，行業(yè)需求以4-5年為周期循環(huán)變動(dòng)。從終端器件角度分析，存儲(chǔ)芯片因市場(chǎng)集中度高、產(chǎn)品同質(zhì)化強(qiáng)，需求波動(dòng)最為劇烈；邏輯芯片次之；模擬芯片憑借產(chǎn)品品類豐富、下游應(yīng)用多元、產(chǎn)品生命周期長(zhǎng)等特性，展現(xiàn)出較強(qiáng)的抗周期能力。

  在技術(shù)維度，半導(dǎo)體芯片的發(fā)展始終遵循摩爾定律。不同芯片類型演進(jìn)路徑各有側(cè)重：模擬芯片更注重性能可靠性，對(duì)制程要求相比來(lái)說(shuō)較低；邏輯芯片與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）持續(xù)推進(jìn)制程微縮；閃存（NAND）芯片則朝著3D立體結(jié)構(gòu)發(fā)展，持續(xù)不斷的增加堆疊層數(shù)。隨技術(shù)節(jié)點(diǎn)持續(xù)進(jìn)步，單位產(chǎn)能設(shè)備投資規(guī)模大幅攀升，不僅推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)容，也使得行業(yè)周期低點(diǎn)逐步上移，成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期成長(zhǎng)的核心動(dòng)力。

  全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模創(chuàng)新高，中國(guó)大陸投資持續(xù)加大。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1170億美元，同比增長(zhǎng)10.2%，創(chuàng)歷史上最新的記錄。從區(qū)域來(lái)看，中國(guó)大陸、韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣省仍然是半導(dǎo)體設(shè)備支出的前三大市場(chǎng)，2024年全球份額分別為42.3%、17.5%、14.1%。中國(guó)大陸繼續(xù)加大資本開(kāi)支，2024年設(shè)備支出達(dá)到了495.5億美元，同比增長(zhǎng)35.4%。

  美系廠商占據(jù)全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)較大份額。根據(jù)CINNO數(shù)據(jù)，2024年全球半導(dǎo)體設(shè)備商Top10營(yíng)收合計(jì)超過(guò)1100億美元，同比增長(zhǎng)約10%。從營(yíng)收金額來(lái)看，2024年前五大設(shè)備商的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的營(yíng)收合計(jì)近900億美元，約占比Top10營(yíng)收合計(jì)的85%。北方華創(chuàng)作為Top10中唯一的中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備廠商，2023年首次進(jìn)入全球Top10，2024年排名由第八上升至第六。

  2、半導(dǎo)體設(shè)備大部分環(huán)節(jié)已具備國(guó)產(chǎn)替代能力，關(guān)注光刻、量測(cè)設(shè)備等國(guó)產(chǎn)突破進(jìn)程

  根據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計(jì)，目前去膠設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率已超過(guò)80%，清理洗滌設(shè)施50%-60%，刻蝕設(shè)備55%-65%，熱處理設(shè)備30%-40%，CMP設(shè)備30%-40%，這些環(huán)節(jié)目前國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)展較快。

  而PVD設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率約10%-20%，CVD/ALD設(shè)備5%-10%，涂膠顯影設(shè)備5%-10%，離子注入設(shè)備10%-20%，量/檢測(cè)設(shè)備1%-10%，光刻設(shè)備0%-1%，這些環(huán)節(jié)目前國(guó)產(chǎn)化率仍較低，要關(guān)注國(guó)產(chǎn)突破進(jìn)程。

  國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司營(yíng)收業(yè)績(jī)快速地增長(zhǎng)，市場(chǎng)占有率逐步提升。設(shè)備行業(yè)核心公司（北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海、拓荊科技、華海清科、中科飛測(cè)、精測(cè)電子、長(zhǎng)川科技、芯源微、華峰測(cè)控、至純科技、新益昌、芯碁微裝、萬(wàn)業(yè)企業(yè)）24Q1-Q3年?duì)I業(yè)總收入合計(jì)達(dá)到459億元，同比增長(zhǎng)34%，歸母凈利潤(rùn)合計(jì)達(dá)到82.2億元，同比增長(zhǎng)25.1%。

  回顧國(guó)產(chǎn)核心半導(dǎo)體設(shè)備公司2019-2023年業(yè)績(jī)發(fā)展，2019年14家公司合計(jì)營(yíng)收138.1億元，2023年增長(zhǎng)至509.3億元，CAGR達(dá)38.6%，中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額自2019年134.5億美元增長(zhǎng)至365.9億美元，CAGR為28.4%，國(guó)產(chǎn)廠商復(fù)合增速明顯高于市場(chǎng)銷售增速，反映了國(guó)產(chǎn)設(shè)備供應(yīng)商產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)陸續(xù)放量，國(guó)產(chǎn)替代加速進(jìn)行，份額持續(xù)提升。

  從歸母凈利潤(rùn)來(lái)看，14家公司合計(jì)歸母凈利潤(rùn)自2019年15.9億元增長(zhǎng)至2023年95.9億元，CAGR達(dá)56.7%，反映國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商在營(yíng)收保持快速地增長(zhǎng)同時(shí)，盈利能力不斷改善，國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商大力投入研發(fā)以追趕海外龍頭，利潤(rùn)端承受較大壓力但仍然表現(xiàn)優(yōu)異，彰顯國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商強(qiáng)大韌性及競(jìng)爭(zhēng)力。

  設(shè)備廠商在手訂單充足，合同負(fù)債保持比較高增速。截至2024年三季度末設(shè)備板塊主要公司合同負(fù)擔(dān)債務(wù)合計(jì)為183.9億元，環(huán)比持續(xù)增長(zhǎng)，相較于21Q4的98.7億元，合同負(fù)債總計(jì)實(shí)現(xiàn)近乎翻倍增長(zhǎng)，彰顯訂單充沛。

  研發(fā)費(fèi)用保持高位。近兩年國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商研發(fā)費(fèi)用率保持高位，持續(xù)大力投入研發(fā)，完善產(chǎn)品品類、進(jìn)行產(chǎn)品迭代，提升核心競(jìng)爭(zhēng)力，2019年14家公司合計(jì)研發(fā)費(fèi)用為12.6億元，研發(fā)費(fèi)用率為10.8%，2023年研發(fā)費(fèi)用達(dá)72.8億元，費(fèi)用率達(dá)14.3%，可見(jiàn)國(guó)內(nèi)廠商格外的重視研發(fā)以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品突破，24Q1-Q3合計(jì)研發(fā)費(fèi)用為65.9億元，費(fèi)用率維持14.3%。

  根據(jù)相關(guān)統(tǒng)計(jì)，2022年至2024年，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備及零件出口總額呈上漲的趨勢(shì)，從2022年的40.9億美元，上升至2024年的52.1億美元。依據(jù)相關(guān)統(tǒng)計(jì)，2024年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備及零件主要出口至美國(guó)、印度、新加坡等地區(qū)，三地區(qū)合計(jì)占出口總量的35%。此外，俄羅斯是去年出口增量比較大的地區(qū)。

  近年來(lái)，半導(dǎo)體行業(yè)作為國(guó)家戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，獲得中央及地方政府的全方位政策支持。一系列涵蓋資金扶持、稅收優(yōu)惠、技術(shù)創(chuàng)新激勵(lì)與人才培養(yǎng)的政策法規(guī)相繼出臺(tái)，為半導(dǎo)體及專用設(shè)備行業(yè)搭建起堅(jiān)實(shí)的政策框架。這些政策不僅為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)營(yíng)造了優(yōu)越的經(jīng)營(yíng)環(huán)境，更在產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展資金供給、研發(fā)技術(shù)突破、人才梯隊(duì)建設(shè)等方面提供有力支撐，極大地促進(jìn)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的加快速度進(jìn)行發(fā)展，明顯提升了國(guó)產(chǎn)企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，成為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力。

  隨著4月9日特朗普政府對(duì)等關(guān)稅政策的正式實(shí)施，芯片行業(yè)面臨的關(guān)稅環(huán)境充滿不確定性。美國(guó)對(duì)中國(guó)芯片行業(yè)的制裁持續(xù)升級(jí)，這種外部壓力一方面限制了美系廠商的對(duì)華出口，另一方面也倒逼中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)加速自主可控進(jìn)程。作為芯片產(chǎn)業(yè)基石的半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)，其國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)展直接關(guān)乎國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)安全，在此背景下，率先實(shí)現(xiàn)對(duì)美系廠商的替代成為必然趨勢(shì)。

  自2020年起，美系半導(dǎo)體設(shè)備廠商對(duì)中國(guó)大陸的銷售規(guī)模持續(xù)攀升。2024財(cái)年，AMAT、LAM、KLA對(duì)中國(guó)大陸的銷售額分別達(dá)到101.17億美元、62.94億美元、41.97億美元，占其營(yíng)收比重分別高達(dá)37%、42%、43%。三大美系廠商在中國(guó)大陸超200億美元的市場(chǎng)規(guī)模，為國(guó)產(chǎn)設(shè)備提供了廣闊的替代空間。從技術(shù)可行性來(lái)看，國(guó)產(chǎn)設(shè)備已在成熟制程的大部分環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)有效替代，且在先進(jìn)制程領(lǐng)域的替代進(jìn)程也有望加速推進(jìn)。

  目前，半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域已基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化布局，在刻蝕、清洗、薄膜沉積等細(xì)致劃分領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化覆蓋率尤為突出，培育出上海微電子、北方華創(chuàng)、中微公司等一批行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)。然而，光刻環(huán)節(jié)的光刻機(jī)與涂膠顯影機(jī)，以及量測(cè)環(huán)節(jié)的量檢測(cè)設(shè)備，仍是國(guó)產(chǎn)企業(yè)亟待攻克的技術(shù)難點(diǎn)。整體而言，國(guó)產(chǎn)設(shè)備正處于從“可用”向“好用”的關(guān)鍵轉(zhuǎn)型期，一定要通過(guò)大量的產(chǎn)線實(shí)踐優(yōu)化設(shè)備一致性。在國(guó)產(chǎn)化工藝覆蓋上，光刻機(jī)、量測(cè)設(shè)備等關(guān)鍵設(shè)備急需突破；刻蝕、清洗等設(shè)備已在28nm節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，部分環(huán)節(jié)更在5nm制程取得快速進(jìn)展。中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)指出，高能離子注入機(jī)、KrF光刻機(jī)等設(shè)備仍是當(dāng)前國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備突破的重點(diǎn)方向。

  TrendForce集邦咨詢多個(gè)方面數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)前半導(dǎo)體市場(chǎng)中先進(jìn)制程與成熟制程需求呈現(xiàn)分化態(tài)勢(shì)。受AI服務(wù)器、高性能計(jì)算芯片及智能手機(jī)芯片需求拉動(dòng)，5/4nm、3nm等先進(jìn)制程產(chǎn)能利用率預(yù)計(jì)在2024年底持續(xù)保持滿載；而28nm及以上成熟制程則處于溫和復(fù)蘇階段，2024年下半年平均產(chǎn)能利用率較上半年提升5%-10%。

  機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2025年國(guó)內(nèi)晶圓代工廠將成為成熟制程產(chǎn)能增長(zhǎng)的主力軍，全球前十大成熟制程代工廠產(chǎn)能有望提升6%。臺(tái)積電日本熊本JASM項(xiàng)目，中芯國(guó)際上海臨港、北京基地，華虹集團(tuán)Fab9、Fab10以及晶合集成N1A3等擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃將逐步落地。預(yù)計(jì)到2025年底，大陸晶圓代工廠成熟制程產(chǎn)能在全球前十大廠商中的占比將突破25%，其中28/22nm新增產(chǎn)能最顯著。晶圓廠大規(guī)模的產(chǎn)能擴(kuò)張，必將帶動(dòng)上游半導(dǎo)體設(shè)備需求的大幅度增長(zhǎng)，為行業(yè)發(fā)展帶來(lái)新的增長(zhǎng)契機(jī)。

  隨著生成式AI、智能汽車、物聯(lián)網(wǎng)及6G技術(shù)的加速發(fā)展，芯片需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。根據(jù)SEMI預(yù)測(cè)，2025年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1210億美元，并在2026年進(jìn)一步增長(zhǎng)至1390億美元。受益于國(guó)內(nèi)晶圓廠持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，中國(guó)大陸在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)中的份額將穩(wěn)步提升，繼續(xù)鞏固其作為全球主要市場(chǎng)的地位。

  半導(dǎo)體制造工藝正朝著2nm及以下先進(jìn)制程邁進(jìn)，EUV光刻機(jī)成為高端芯片制造的核心裝備。同時(shí)，HBM4內(nèi)存技術(shù)和Chiplet先進(jìn)封裝技術(shù)的快速迭代，持續(xù)推動(dòng)存儲(chǔ)與算力性能升級(jí)。這些技術(shù)革新不僅重塑行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局，也對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備提出了更高要求。

  在政策支持下，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程顯著加快，但光刻機(jī)等核心設(shè)備仍高度依賴進(jìn)口，實(shí)現(xiàn)自主可控的任務(wù)依然艱巨。企業(yè)要加大研發(fā)投入，與高校、科研機(jī)構(gòu)開(kāi)展深度合作，攻克關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，逐步降低對(duì)國(guó)外技術(shù)的依賴。

  服務(wù)生態(tài)競(jìng)爭(zhēng)：國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商開(kāi)始構(gòu)建設(shè)備-工藝-材料一體化服務(wù)體系，效仿國(guó)際巨頭提供全生命周期服務(wù)，并與芯片設(shè)計(jì)企業(yè)聯(lián)合開(kāi)發(fā)定制化解決方案，增強(qiáng)客戶粘性。

  成本優(yōu)勢(shì)凸顯：受日本出口管制影響，進(jìn)口設(shè)備成本大面積上漲超50%，而國(guó)產(chǎn)設(shè)備憑借本土化供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì)，價(jià)格僅為進(jìn)口設(shè)備的60%-70%，性價(jià)比優(yōu)勢(shì)正在重塑市場(chǎng)采購(gòu)格局。

  面對(duì)全球產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)，中國(guó)企業(yè)需加強(qiáng)上下游協(xié)同，以成熟制程為基礎(chǔ)，逐步向高端領(lǐng)域突破。通過(guò)政策支持和技術(shù)創(chuàng)新，有望在細(xì)致劃分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵突破，縮小與國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)的差距。同時(shí)，積極開(kāi)展國(guó)際合作，突破技術(shù)與供應(yīng)鏈壁壘，將成為產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的重要方向。

  碳化硅、硅光芯片等新型半導(dǎo)體材料的發(fā)展，有望突破傳統(tǒng)硅基材料的性能限制，為行業(yè)帶來(lái)新的增長(zhǎng)點(diǎn)。與此同時(shí)，環(huán)保工藝和可持續(xù)發(fā)展理念日益受到重視，半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)要在生產(chǎn)的全部過(guò)程中注重節(jié)能減排，推動(dòng)綠色制造技術(shù)的應(yīng)用。

  盡管行業(yè)前景廣闊，但仍需警惕技術(shù)快速迭代和地理政治學(xué)風(fēng)險(xiǎn)帶來(lái)的挑戰(zhàn)。技術(shù)更新?lián)Q代可能會(huì)引起現(xiàn)存技術(shù)和設(shè)備快速過(guò)時(shí)，地緣沖突則可能引發(fā)供應(yīng)鏈中斷、市場(chǎng)準(zhǔn)入受限等問(wèn)題。企業(yè)唯有堅(jiān)持創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，提升供應(yīng)鏈韌性，才能在激烈的市場(chǎng)之間的競(jìng)爭(zhēng)中保持領(lǐng)先地位。

  半導(dǎo)體零部件處于芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈上游，為半導(dǎo)體設(shè)備及晶圓廠提供關(guān)鍵支持。這些零部件先組成模組、子系統(tǒng)，進(jìn)而組裝成半導(dǎo)體設(shè)備。同時(shí)，晶圓廠也會(huì)直接采購(gòu)部分零部件作為替換件，部分具有耗材屬性的零部件需定期更換，這使得零部件市場(chǎng)具備持續(xù)的需求動(dòng)力。

  半導(dǎo)體零部件國(guó)產(chǎn)化率提升是實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。目前，國(guó)產(chǎn)自主可控趨勢(shì)正逐步向產(chǎn)業(yè)鏈上游延伸，解決“卡脖子”問(wèn)題的核心在于完成半導(dǎo)體設(shè)備零部件的國(guó)產(chǎn)替代。在中低端零部件領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)廠商技術(shù)已具備替代能力，但市場(chǎng)占有率仍較低；高端零部件方面，與國(guó)際領(lǐng)先水平存在一定差距，不過(guò)這也代表著未來(lái)國(guó)產(chǎn)化率提升空間巨大。

  半導(dǎo)體設(shè)備零部件涵蓋機(jī)械、電氣、機(jī)電一體、氣體/液體/真空系統(tǒng)、儀器儀表、光學(xué)等7大種類。其中，機(jī)械類價(jià)值量占比最高，達(dá)設(shè)備成本的20-40%，可進(jìn)一步細(xì)分為金屬與非金屬兩類。電氣類、機(jī)電一體、氣體/液體/線%，像射頻電源、EFEM、氣柜（gasbox）、真空閥等核心部件，國(guó)產(chǎn)化需求迫切。

  從成本角度看，零部件占據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備經(jīng)營(yíng)成本約90%，市場(chǎng)規(guī)模約為半導(dǎo)體設(shè)備的40%，且會(huì)隨設(shè)備市場(chǎng)同步增長(zhǎng)，設(shè)備環(huán)節(jié)間的增速差異也將影響各零部件品類的市場(chǎng)潛力。全球半導(dǎo)體零部件市場(chǎng)規(guī)模龐大，未包含晶圓廠直接采購(gòu)部分時(shí)約335-350億美元（折合人民幣約2400億元）；若包含晶圓廠直接更換部分，2022年全球市場(chǎng)規(guī)模達(dá)3861億元，中國(guó)大陸市場(chǎng)為1141億元。競(jìng)爭(zhēng)格局上，雖以美日企業(yè)為主導(dǎo)，但由于零部件類別繁多，市場(chǎng)相對(duì)分散，為新進(jìn)入者提供了提升市占率的機(jī)會(huì)。

  光刻機(jī)是芯片制造的核心設(shè)備，其技術(shù)水平直接決定芯片的制程和性能。光刻成本占芯片制造成本約30%，耗時(shí)占比達(dá)40-50%。光刻機(jī)主要由光源、照明系統(tǒng)、掩模臺(tái)等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)組成，根據(jù)光源不同可分為G-line、I-line、KrF、ArF（包括ArFDry和ArFi，統(tǒng)稱DUV光刻機(jī)）、EUV等類型。

  2024年全球光刻機(jī)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約315億美元，是半導(dǎo)體設(shè)備中占比最大的細(xì)致劃分領(lǐng)域。全球光刻機(jī)出貨量持續(xù)上升，ASML、Canon、Nikon三大供應(yīng)商主導(dǎo)市場(chǎng)。其中，ASML在高端光刻機(jī)領(lǐng)域占據(jù)非常大的優(yōu)勢(shì)，尤其在EUV領(lǐng)域更是獨(dú)家壟斷，2024年首次交付新設(shè)備EXE（HighNAEUV）2臺(tái)，引領(lǐng)行業(yè)進(jìn)入新時(shí)代。

  中國(guó)是半導(dǎo)體設(shè)備最大市場(chǎng)，也是ASML的重要客戶，但國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)面臨供不應(yīng)求的局面。2023年我國(guó)光刻機(jī)產(chǎn)量?jī)H124臺(tái)，需求量卻高達(dá)727臺(tái)，國(guó)產(chǎn)化率僅2.5%，整機(jī)技術(shù)與海外差距較大。美日荷加強(qiáng)對(duì)華先進(jìn)制程出口限制，使得光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化勢(shì)在必行。上海微電子作為國(guó)內(nèi)整機(jī)制造廠商，已實(shí)現(xiàn)90nm工藝量產(chǎn)，并積極研發(fā)28nm浸沒(méi)式光刻機(jī)。

  刻蝕的核心目的是按設(shè)計(jì)圖紙對(duì)襯底或薄膜進(jìn)行精確切割，分為濕法刻蝕和干法刻蝕，目前干法刻蝕尤其是等離子體干法刻蝕是主流技術(shù)。等離子體刻蝕設(shè)備利用等離子體放電產(chǎn)生的活性粒子與材料反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)微觀結(jié)構(gòu)加工。

  全球干法刻蝕市場(chǎng)由國(guó)際巨頭主導(dǎo)，2020年泛林半導(dǎo)體、東京電子、應(yīng)用材料三家廠商占據(jù)全球干法刻蝕設(shè)備領(lǐng)域90.24%的市場(chǎng)占有率。隨著集成電路行業(yè)發(fā)展，對(duì)刻蝕工藝復(fù)雜度要求逐步的提升，預(yù)計(jì)2025年全球集成電路制造干法刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至181.85億美元。在先進(jìn)芯片制程發(fā)展過(guò)程中，多重曝光和存儲(chǔ)三維化趨勢(shì)使得刻蝕技術(shù)及設(shè)備的重要性日益凸顯，7nm集成電路生產(chǎn)所需刻蝕工序相較28nm增加2.5倍，3DNAND制造對(duì)刻蝕設(shè)備的需求也大幅度的增加。國(guó)內(nèi)廠商如中微公司、北方華創(chuàng)等尚處于追趕階段，發(fā)展空間巨大。

  薄膜沉積設(shè)備是芯片制造的三大核心設(shè)備之一，按工藝原理可分為PVD、CVD和ALD，用于在基材上沉積納米級(jí)薄膜。PVD通過(guò)物理方法氣化材料并沉積；CVD利用化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物；ALD則以單原子膜形式逐層沉積，具有精確控制膜厚等優(yōu)勢(shì)。

  在CVD領(lǐng)域，PECVD設(shè)備應(yīng)用最為廣泛，占薄膜沉積設(shè)備的33%；PVD領(lǐng)域以濺射PVD設(shè)備為主。隨著芯片制程和工藝升級(jí)，薄膜沉積工序數(shù)量和材料種類大幅度的增加，對(duì)薄膜顆粒要求也逐步的提升。同時(shí)，NAND垂直化發(fā)展進(jìn)一步帶動(dòng)薄膜沉積設(shè)備需求。預(yù)計(jì)2025年全球薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)239.6億美元，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模超82億美元。全球市場(chǎng)呈現(xiàn)高度壟斷格局，主要由美國(guó)應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體和日本東京電子等企業(yè)主導(dǎo)，國(guó)內(nèi)廠商如北方華創(chuàng)、拓荊科技等份額提升空間廣闊，2023年國(guó)產(chǎn)廠商本土市占率不足20%。

  前道量/檢測(cè)是芯片制程中保障良率、減少相關(guān)成本和推動(dòng)工藝迭代的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。量測(cè)設(shè)備用于測(cè)量晶圓結(jié)構(gòu)尺寸和材料特性，檢測(cè)設(shè)備則用于識(shí)別晶圓表面缺陷。隨著工藝向細(xì)微線寬發(fā)展，對(duì)量檢測(cè)設(shè)備的精度、靈敏度、穩(wěn)定性等提出更高要求。

  量檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)呈現(xiàn)光學(xué)檢測(cè)技術(shù)提升、多系統(tǒng)組合、大數(shù)據(jù)算法應(yīng)用和設(shè)備速度提高等發(fā)展的新趨勢(shì)。2023年全球半導(dǎo)體檢測(cè)和量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)128.3億美元，預(yù)計(jì)2025年全球量檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)157.3億美元，中國(guó)市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)51.9億美元。目前，KLA等國(guó)外廠商長(zhǎng)期壟斷市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)廠商如上海精測(cè)、上海睿勵(lì)、中科飛測(cè)等積極布局，在先進(jìn)制程領(lǐng)域逐步實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，未來(lái)國(guó)產(chǎn)替代前景可期。

  離子注入是半導(dǎo)體制造的核心工藝之一，通過(guò)將帶電離子注入半導(dǎo)體材料實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)摻雜，定義芯片電學(xué)特性。離子注入技術(shù)相比熱擴(kuò)散具有單面準(zhǔn)直摻雜、均勻性好、可控性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在太陽(yáng)能電池制造等領(lǐng)域也有重要應(yīng)用。

  離子注入設(shè)備可分為中低束流、低能大束流和高能離子注入機(jī)，其中高能離子注入機(jī)技術(shù)難度最大。2024年全球離子注入設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)276億元，預(yù)計(jì)2030年將攀升至307億元，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空間約160億元。全球市場(chǎng)主要由AMAT、Axcelis、Nissin等國(guó)外廠商主導(dǎo)，國(guó)內(nèi)廠商凱世通和中科信已取得一定進(jìn)展，北方華創(chuàng)進(jìn)軍該領(lǐng)域，有望打破國(guó)際壟斷。

  半導(dǎo)體清理洗滌設(shè)施用于去除晶圓表面雜質(zhì)，確保芯片良率和性能，濕法清洗是目前主流技術(shù)，占芯片制造清洗步驟的90%以上，干法清洗主要使用在于先進(jìn)制程。濕法清洗包括溶液浸泡、機(jī)械刷洗等多種方法，干法清洗主要有等離子清洗、氣相清洗等。

  全球半導(dǎo)體清理洗滌設(shè)施市場(chǎng)高度集中，DNS、TEL、LAM與SEMES四家公司在單片清理洗滌設(shè)施領(lǐng)域市場(chǎng)占有率超90%。隨著存儲(chǔ)器技術(shù)向三維架構(gòu)發(fā)展，對(duì)清理洗滌設(shè)施的需求持續(xù)不斷的增加，清洗步驟占芯片制造工序的30%以上。國(guó)內(nèi)廠商如盛美上海積極研發(fā)差異化技術(shù)，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速。

  CMP設(shè)備大多數(shù)都用在晶圓的全局平坦化處理，通過(guò)非物理性腐蝕與機(jī)械研磨結(jié)合，確保后續(xù)工藝順順利利地進(jìn)行。設(shè)備主要由晶圓傳輸、拋光和清洗三大單元組成。CMP設(shè)備大范圍的應(yīng)用于晶圓材料制造、半導(dǎo)體制造和封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)。

  全球CMP市場(chǎng)規(guī)?？傮w呈增長(zhǎng)趨勢(shì)，2024年達(dá)到32億美元，但市場(chǎng)高度壟斷，美國(guó)應(yīng)用材料和日本荏原占據(jù)全球超90%的市場(chǎng)占有率。隨著芯片集成度提高和制程縮小，對(duì)CMP設(shè)備的精密化和集成化要求不斷的提高，國(guó)內(nèi)CMP設(shè)備國(guó)產(chǎn)化空間廣闊。

  測(cè)試是半導(dǎo)體檢測(cè)的重要環(huán)節(jié)，應(yīng)用于設(shè)計(jì)和封測(cè)環(huán)節(jié)，分為CP晶圓測(cè)試和FT芯片成品測(cè)試。測(cè)試設(shè)備最重要的包含測(cè)試機(jī)、探針臺(tái)和分選機(jī)，其中測(cè)試機(jī)價(jià)值量占比超60%。

  預(yù)計(jì)2027年全球半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)106.8億美元，測(cè)試機(jī)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)65.7億美元，其中SOC測(cè)試機(jī)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)41億美元。全球市場(chǎng)主要由泰瑞達(dá)和愛(ài)德萬(wàn)等海外巨頭壟斷，國(guó)內(nèi)廠商在高端SOC、存儲(chǔ)測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域即將實(shí)現(xiàn)放量。

  傳統(tǒng)封裝設(shè)備按工藝流程包括晶圓減薄機(jī)、劃片機(jī)、貼片機(jī)等。后道封裝設(shè)備在半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)中占比約6%，隨著先進(jìn)封裝發(fā)展，傳統(tǒng)封裝設(shè)備需求有望增長(zhǎng)，同時(shí)也帶來(lái)前道晶圓制造設(shè)備的新增需求。

  各細(xì)分封裝設(shè)備市場(chǎng)中，減薄機(jī)、劃片機(jī)、固晶機(jī)、鍵合機(jī)、塑封機(jī)等市場(chǎng)規(guī)模均呈現(xiàn)增長(zhǎng)趨勢(shì)，但全球市場(chǎng)大多被國(guó)外廠商壟斷，國(guó)內(nèi)廠商雖與海外巨頭存在差距，但在國(guó)產(chǎn)替代浪潮下，各細(xì)分市場(chǎng)發(fā)展的潛在能力巨大。

  北方華創(chuàng)展現(xiàn)出卓越的增長(zhǎng)韌性，2024年Q1-Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入204億元，同比增長(zhǎng)39.5%，電子工藝裝備板塊貢獻(xiàn)核心增長(zhǎng)動(dòng)能，營(yíng)收同比提升46.96%。同期歸母凈利潤(rùn)達(dá)45億元，同比增長(zhǎng)54.7%，費(fèi)用優(yōu)化疊加業(yè)務(wù)擴(kuò)張推動(dòng)毛利率攀升至44.2%。近五年（2019-2023年）營(yíng)收與歸母凈利潤(rùn)復(fù)合增長(zhǎng)率分別高達(dá)52.7%、88.5%，成長(zhǎng)性突出。

  AccuraLX刻蝕機(jī)：12英寸電容耦合等離子體介質(zhì)刻蝕機(jī)AccuraLX突破技術(shù)瓶頸，在邏輯芯片多個(gè)關(guān)鍵制程中，以AIO雙大馬士革刻蝕、接觸孔工藝性能超越行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，廣泛適配存儲(chǔ)、CIS、功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域。

  Cygnus系列PECVD設(shè)備：通過(guò)多站位多步沉積工藝，實(shí)現(xiàn)高均勻性、高產(chǎn)能輸出，成功解決大翹曲硅片傳輸與工藝難題，為2.5D/3D三維器件介質(zhì)薄膜生長(zhǎng)提供核心支撐。

  OrionProximaHDPCVD設(shè)備：自主研發(fā)的12英寸HDPCVD設(shè)備進(jìn)入客戶端驗(yàn)證，憑借“沉積-刻蝕-沉積”創(chuàng)新工藝，攻克高深寬比溝槽絕緣介質(zhì)填充技術(shù)壁壘。

  作為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)，北方華創(chuàng)在高端電子工藝裝備與精密元器件領(lǐng)域持續(xù)領(lǐng)跑。ICP刻蝕技術(shù)積累深厚，多晶硅及金屬刻蝕設(shè)備實(shí)現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用；PVD工藝裝備已推出40余款產(chǎn)品，出貨超3500腔，并拓展DCVD、MCVD產(chǎn)品線原子層沉積設(shè)備實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，進(jìn)一步鞏固高端市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

  2024年前三季度，中微公司實(shí)現(xiàn)盈利收入55.07億元，同比增長(zhǎng)36.27%，刻蝕與薄膜設(shè)備市場(chǎng)認(rèn)可度提升驅(qū)動(dòng)增長(zhǎng)。歸母凈利潤(rùn)9.13億元，雖同比下降21.28%，但毛利率從2019年的34.93%提升至42.22%。

  PrimoUD-RIE刻蝕機(jī)：針對(duì)超高深寬比刻蝕開(kāi)發(fā)，具備刻蝕≥60:1深寬比結(jié)構(gòu)量產(chǎn)能力，適配DRAM與3DNAND關(guān)鍵制程。

  PrimoSD-RIE刻蝕機(jī)：通過(guò)動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)電極間距與多區(qū)調(diào)溫技術(shù)，優(yōu)化大馬士革刻蝕工藝均勻性。

  PreformaUniflex系列薄膜設(shè)備：自主研發(fā)的12英寸高深寬比金屬鎢沉積設(shè)備，為復(fù)雜芯片結(jié)構(gòu)提供高性價(jià)比填充方案。

  中微公司等離子體刻蝕設(shè)備已批量應(yīng)用于65納米至5納米及更先進(jìn)制程產(chǎn)線，并覆蓋先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)。憑借CCP、ICP、薄膜沉積等五類設(shè)備的國(guó)際先進(jìn)的技術(shù)水平，受益于芯片制程升級(jí)、Mini/MicroLED及第三代半導(dǎo)體需求量開(kāi)始上漲，市場(chǎng)空間持續(xù)擴(kuò)容。

  2024年Q1-Q3，精測(cè)電子實(shí)現(xiàn)盈利收入18.3億元，同比增長(zhǎng)18.5%，其中半導(dǎo)體板塊營(yíng)收4.1億元，同比激增95.3%，成為新增長(zhǎng)引擎。第三季度營(yíng)收7.1億元（同比增長(zhǎng)63.4%），歸母凈利潤(rùn)0.3億元（同比增長(zhǎng)231.3%），顯示、半導(dǎo)體、新能源板塊呈現(xiàn)差異化發(fā)展態(tài)勢(shì)。

  Micro-OLED檢測(cè)技術(shù)：成為國(guó)內(nèi)首家進(jìn)入Micro-OLEDcell段檢驗(yàn)測(cè)試領(lǐng)域的企業(yè)，并在模組檢測(cè)端實(shí)現(xiàn)批量交付。

  PancakeAOI光學(xué)系統(tǒng)：與全球頂尖客戶合作開(kāi)發(fā)的光學(xué)系統(tǒng)及算法成功導(dǎo)入量產(chǎn)。

  精密光學(xué)儀器國(guó)產(chǎn)化：色彩分析儀、光譜共聚焦儀等核心產(chǎn)品打破國(guó)外壟斷，獲得國(guó)內(nèi)外客戶重復(fù)訂單。

  公司在半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)先進(jìn)制程全覆蓋，膜厚測(cè)量、OCD設(shè)備及電子束復(fù)查設(shè)備獲先進(jìn)制程訂單。同時(shí)，新能源與新型顯示業(yè)務(wù)協(xié)同發(fā)展，AR/VR檢測(cè)等新興領(lǐng)域布局成效顯著。

  2024年Q1-Q3，公司營(yíng)收7.2億元（同比增長(zhǎng)37.1%），歸母凈利潤(rùn)1.6億元（同比增長(zhǎng)30.9%），市場(chǎng)拓展與產(chǎn)品升級(jí)驅(qū)動(dòng)增長(zhǎng)。24Q3單季營(yíng)收2.7億元（同比增長(zhǎng)30.9%），歸母凈利潤(rùn)0.5億元（同比增長(zhǎng)18.6%）。

  先進(jìn)封裝設(shè)備：WLP2000晶圓級(jí)封裝設(shè)備技術(shù)成熟，同步布局PLP板級(jí)封裝領(lǐng)域。

  作為國(guó)內(nèi)直寫光刻設(shè)備領(lǐng)先企業(yè)，芯碁微裝受益于PCB行業(yè)回暖和AI驅(qū)動(dòng)的高端化需求，加速產(chǎn)品升級(jí)與泛半導(dǎo)體領(lǐng)域拓展，持續(xù)深化直寫光刻技術(shù)應(yīng)用。

  2024年，公司實(shí)現(xiàn)盈利收入56.2億元（同比增長(zhǎng)44.5%），歸母凈利潤(rùn)11.5億元（同比增長(zhǎng)26.7%），半導(dǎo)體清理洗滌設(shè)施收入40.6億元（同比增長(zhǎng)55.2%），毛利率46.2%，市場(chǎng)需求旺盛推動(dòng)增長(zhǎng)。

  Track設(shè)備：首創(chuàng)無(wú)接觸背面清洗模塊，解決光刻機(jī)污染問(wèn)題，提升系統(tǒng)產(chǎn)出效率。

  PECVD設(shè)備：“1腔3卡盤”創(chuàng)新設(shè)計(jì)支持多工藝集成，加速國(guó)際市場(chǎng)驗(yàn)證。

  UltraCbev-p刻蝕設(shè)備：專為面板銅工藝設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)雙面邊緣刻蝕與清洗一體化。

  公司形成涵蓋清洗、電鍍、爐管、涂膠顯影等全品類半導(dǎo)體設(shè)備平臺(tái)，為全球客戶提供一站式工藝解決方案。

  周口墜亡婦產(chǎn)科主任親屬再發(fā)聲：她一家四人從醫(yī)，孫子孫女都不到6歲，80多歲老母親哭得撕心裂肺（南方都市報(bào)）

  周口墜亡婦產(chǎn)科主任親屬再發(fā)聲：她一家四人從醫(yī)，孫子孫女都不到6歲，80多歲老母親哭得撕心裂肺（南方都市報(bào)） 【 齊魯晚報(bào)·齊魯壹點(diǎn)旗下短視頻產(chǎn)品 】

  湖北日?qǐng)?bào)消息，8月6日，湖北省委十二屆十次全員會(huì)議審議通過(guò)《湖北省委關(guān)于進(jìn)一步激勵(lì)干部在加快建成中部地區(qū)崛起重要戰(zhàn)略支點(diǎn)中擔(dān)當(dāng)作為的意見(jiàn)》。

  中央定調(diào)新退休政策！退休年齡怎么定？彈性退休何時(shí)辦？你想知道的退休政策都在這里

  打工人的日常:周一，算還有幾天到周末。上班，算還有幾個(gè)小時(shí)下班。假期結(jié)束，算還有多久到下個(gè)假期。自彈性退休政策落地后。

  河南57歲婦產(chǎn)科主任墜樓身亡，丈夫發(fā)聲：長(zhǎng)期遭遇網(wǎng)暴，不堪其擾，留下遺書讓我為其正名

  河南57歲婦產(chǎn)科主任墜樓身亡，丈夫發(fā)聲：長(zhǎng)期遭遇網(wǎng)暴，不堪其擾，留下遺書讓我為其正名。官方通報(bào)已成立調(diào)查組。

  江油警方回應(yīng)霸凌者言論:系擔(dān)心受害人報(bào)警，故意夸張嚇唬 江油施暴者及家長(zhǎng)向受害人賠禮道歉，教體局:將更重視預(yù)防校園霸凌 #校園霸凌 #江油打人者及家長(zhǎng)已向受害人道歉 #打人 （編輯：曉曉 實(shí)習(xí)生：趙佳地）

  已確認(rèn)遇難！25歲中國(guó)翼裝飛行者 在意大利不幸撞上山壁，當(dāng)場(chǎng)身亡 遺體在陡峭山間被發(fā)現(xiàn)

  游客在尼斯湖畔散步發(fā)現(xiàn)神秘黑色身影，尼斯湖水怪再次被拍到，至今未有確鑿證據(jù)證明尼斯湖水怪存在#媒體精選計(jì)劃

  外艦過(guò)航臺(tái)灣海峽，艦載直升機(jī)抵近我領(lǐng)空挑釁，英文喊線米的時(shí)候，它慫了”。（剪輯：王京）

  海國(guó)志丨柬泰邊境沖突、馬斯克新建“美國(guó)黨”、卡塔爾申奧……回顧2025年7月全球熱點(diǎn)事件

  泰國(guó)總理佩通坦被暫停職務(wù)7月1日，泰國(guó)曼谷，泰國(guó)總理佩通坦在被停職后舉行記者會(huì)。來(lái)源：視覺(jué)中國(guó)5月28日，柬埔寨和泰國(guó)軍隊(duì)在邊境爭(zhēng)議地區(qū)發(fā)生短暫沖突。6月18日，柬埔寨方面流出一段泰國(guó)總理佩通坦和柬埔寨參議院主席洪森的通話錄音。

  據(jù)“南方+”客戶端消息，8月6日，連日強(qiáng)降雨導(dǎo)致廣州市白云區(qū)大源村黃莊片區(qū)發(fā)生山體滑坡、房屋垮塌，造成14人被困。

  2019年重慶潼南鄉(xiāng)，王先生與一女子網(wǎng)戀，雙方產(chǎn)生好感后，應(yīng)女子要求，王先生將女子接回潼南。接回家不久，女子的母親和丈夫找到王先生，他才得知女子已婚，將女子送回。但女子又獨(dú)自打車回到王先生家，自此女子娘家和丈夫沒(méi)再找上門來(lái)。王先生和女子開(kāi)始了同居生活，期間生下兩個(gè)女兒。